COi8DFIC的分子结构，有些类似于之前徐正宏课题组在NC文章报道的DBC-IC。
中央D单元同样是采用非完全共轭稠环的结构，三个TT单元首先经由碳碳单键连接，在两个连接处，再分别用一个氧原子和一个碳原子延伸出来，和周边的两个TT单元形成一个非共轭的六元环，六元环上的碳原子上是sp3杂化的，可以引入两个侧链。
末端A单元，采用的是许秋他们开发的ICIN-2F单元。
这个材料是由国家纳米科学技术中心的李丹课题组开发出来的。
他们连续报道了两个体系，分别是二元的体系，还有三元的体系，器件效率分别为和两篇文章均发表在期刊上，也就是之前提到的举国之力推举的一本期刊。
许秋推测他们把工作发表在这里，可能也是有完成上面任务的因素。
当然，他们也算是吃到了一波红利，后面变为综合类一区了嘛。
而且，这两篇文章都非常的短，他们发表的格式是“ShortCommunication（短通讯）”。
本来相较于正常Article格式的文章，Communication就够短的了，一般是三千个单词左右，三到五张图片的样子。
而现在这个ShortCommunication更夸张，正文只有两页半，全文就一张图片，整合了分子结构、光吸收光谱、荧光光谱、J-V特性曲线以及EQE曲线。
不过，实验方面的工作量其实也没少太多，因为其他的表征测试也是做了的，包括光源GIWAXS，电镜TEM、AFM，电荷迁移率SCLC，只是被放在了支持信息中，里面有足足20张图片。
当然，文章短不短的，对许秋来说也无关紧要。
他主要关注到三个点，即COi8DFIC体系具有“超窄禁带宽度”、“高电流密度”、“对膜厚不敏感”的特点。
COi8DFIC的禁带宽度只有1.26电子伏特，光吸收带边可以达到1000纳米，已经接近硅的禁带宽度了，常温下本征半导体硅的禁带宽度为1.12电子伏特。
也因此，基于COi8DFIC二元体系的器件，短路电流密度就高达26毫安每平方厘米，三元体系更是达到了28毫安每平方厘米，比许秋现阶段拿到手的Y系列受体都夸张。
当然，高短路电流密度也是有代价的，那就是开路电压偏低，只有0.68伏特。
不然，给这种电流密度配上一个0.8伏特以上的开路电压，打破现阶段世界纪录的课题组就不是许秋，而是李丹课题组了。
同时，COi8DFIC还兼顾了IDIC系列的优点，在制备厚膜器件时，器件性能的衰减幅度较小。
因此，许秋初步判断，这种材料或许是IEICO-4F等近红外受体材料的上位替代，值得进行尝试。
周日。
因为周六加班的缘故，许秋一觉睡到中午才醒。
他取过手机，打算看一眼时间，却发现微信像是被轰炸了一样，全是未读消息，还有一通来自魏兴思的未接来电。
难怪许秋在睡梦中总感觉周围在震动，原来不是错觉，而是手机在震。
他首先看了眼魏老师的来电记录，是早上九点钟的，响铃7声就挂断了，且没有二次拨打。
一般这种情况下，就不是什么要紧的事情，可能只是魏兴思突然有了一个科研想法，想和许秋分享一下之类的。
于是，许秋就没有回拨过去，反正下午就要见面了嘛，有什么事情都可以当面沟通。
微信消息，大多数都是来自校内的研究生同学们，包括陶焱、穆雪等等，还有课题组里莫文琳、韩嘉莹她们，此外，甚至还有几个很久都没有联系的老同学，也发来了消息。
许秋随意点开了最上面的几条消息查看，发现他们都在说同一件事，并附带了一个转发过来的链接。