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388 哇,世界纪录又被我打破了呢(求订阅)(1 / 3)

晚上,许秋回到寝室,看到室友孙一凡坐在桌子前打着个台灯,对着电脑搓炉石。

孙一凡招呼道:“许秋,回来啦,你看到辅导员发的名单了嘛,我们直博生没人权啊,居然都只有二奖,一奖都被硕博连读的给捞走了。”

许秋耸了耸肩,附和了一句:“是啊,我之前也以为我们是一奖呢……不过一奖、二奖也差不多,估计最多也就相差一两千块钱,洒洒水啦。”

“那倒也是,”孙一凡点点头,随口问道:“对了,许秋你有申请国奖嘛?我记得你本科文章好像发了不少吧。”

“嗯,申请了。”许秋回应道。他在孙一凡后面看了一会儿,游戏刚开局,双方都是30血,看不出什么来,WAR3他是玩过的,但暴雪之后出的包括WOW、炉石之类的都没有接触过。

孙一凡突然说道:“我听说我们博士班的班长,穆雪也申请了国奖。”

许秋愣了一下,问道:“穆雪,她不是从清北大学保研过来的嘛,怎么申请的?”

孙一凡摇摇头:“那我就不清楚了。”

两人又聊了几句,许秋听到外面洗手间的浴室有人出来,便带着洗浴用品和一卡通洗澡去了。

平常许秋和孙一凡的交流并不多,不像本科时候的室友那么频繁,当然,也可能是陶焱比较自来熟的缘故。

洗完澡后,许秋往床上一趟,进入模拟实验室。

这些天,针对半透明电池器件,他已经在模拟实验室中进行了不少的尝试,并获得了一些前期工作的结果。

半透明器件的制备难度并不大,和传统器件的唯一不同之处就是,电极被更换为了半透明电极材料,包括薄层金属、银纳米线或是ITO等。

其中,ITO的制备难度太高,需要用到磁控溅射等手段,于是许秋就只尝试了旋涂银纳米线,以及蒸镀薄层金属电极这两种。

之前,许秋本来以为银纳米线旋涂出来,可以兼具导电性和透光性两大优点,成为非常完美的半透明电极材料。

但是在实际操作过程中发现,结果并不理想。

他使用蓝河公司购买的银纳米线溶液旋涂出来的薄膜,透光性是满足了,看起来非常的通透,可导电性方面就扑街了,制备出来的器件直接是断路状态。

为了探明原因,许秋用万用表测试了一下银纳米线薄膜的电阻,发现它的阻值在千欧的级别,而平常ITO电极的电阻阻值一般在几欧姆的级别,差了三个数量级以上。

后来,他进一步的探索,用AFM、TEM、SEM等各种电镜进行观察,反正模拟实验室里电镜也不花钱,就索性全用上测一遍。

最终结果显示,旋涂得到的银纳米线很多根都是近似平行的或者堆在一起的,而且还有一些已经断掉了的纳米线。

纳米线这种东西想要具有良好的导电性,必须要每根纳米线相互之间接触良好,形成一种类似于网格状的结构。

因此,现在这样的微观结构,导电率低下也就很容易理解了,可能的原因是旋涂过程中对银纳米线造成了取向和破坏。

为了试图解决这个问题,许秋浏览了一下小虫子网站。

发现其他人在旋涂银纳米线的时候,也出现过类似的问题,包括导电性差、稳定性差等,而且没有太好的解决方法。

于是,许秋又去查阅了一些文献,发现制备银纳米线导电薄膜的常用方法,是刮涂、滴涂,以及“slot-die”的方法。

所谓“slot-die”的方法,有点像是刮涂的进阶版本,就是在基片上方一定高度处放一个窄槽,这个窄槽里面不断注入有效层或者传输层溶液,这些溶液会从窄槽中滴落,落到基片上成膜,因为是窄槽,所以形成的薄膜也是细细的窄膜。这个时候,让溶液在滴落的过程中,以一定的速率同步的移动窄槽,就可以使得滴落后的溶液扑满窄槽扫过的面积,也即得到一层薄膜。

“slot-die”和刮涂的区别就是刮涂是先把溶液滴在基片上,而“slot-die”是溶液在窄槽内,然后一点点的往出流,因此工艺难度很稍微高一些。

许秋的这番操作,其实也是他在遇到实验失败时的常规步骤:

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