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第0177章 几乎无解的高能环境(1 / 2)

很多人小时候都玩过一个游戏。

过年的时候将鞭炮点燃,然后用一个盆盖住鞭炮,但鞭炮炸的情况。

简单的说,聚变堆就和这差不多,而第一壁材料,就是那个盆。

第一壁材料有两个核心问题,高能中子辐照和以及高通量氘氚(等离子体轰击。

在高能中子辐照方面。

目前研究的基本上是最容易实现的D-T聚变:每个D-T聚变都会产生一个14.1MeV的中子。由于中子不带电,无法用磁场约束,会直接轰击到第一壁材料上产生损伤。

每个D-T聚变都会产生一个14.1MeV的中子。由于中子不带电,无法用磁场约束,会直接轰击到第一壁材料上产生损伤。

14.1MeV是个很大很大的能量,要知道材料中束缚原子的都是各种化学键,其键能大约在1-10eV之间。

也就是说,一个14.1MeV的中子所携带的能量,足以破坏成百上万个普通的化学键,这无疑会对材料造成难以恢复的损伤。

在聚变堆李,高能中子就像一颗颗射向材料的子弹,不断的撞击金属原子,打断其周围的化学键,迫使原子离开原来的位置,从而破坏整的原子排布。

原子被击跑了,原来的地方自然就留下一个空位,一个个这样的坑在材料内部积累聚集起来,就变成了大的孔洞。

另外,被击跑的原子并不会小时,而是会通过各种方式扩散到材料表面上去。原子不断的从中心往表面转移,材料就慢慢的像空心泡沫一样肿胀起来,这种尺寸的变化对正常服役的材料是致命的。

除了辐照肿胀,中子辐照在材料中产生大量缺陷也会影响材料的力学性能,使得材料变硬、变脆、更容易断裂,从而影响聚变堆的安全运行。

中子还会和材料进行核反应,改变材料的元素组成,例如金属W就会变成Re、Os、Hf、Ta。

时间一长,材料的组成会变得和开始时完全不一样,这对材料的影响也是非常大的。

中子辐照问题虽然在裂变堆中也有,但裂变堆的中子无论是能量还是通量上都要比聚变堆低很多,因此裂变堆材料的技术也无法直接移植到聚变堆中。

而在高通量氘氚等离子轰击方面。

聚变堆对D-T等离子的约束也并不完美,反应堆中会有大量的D-T离子轰向第一壁材料。由于T燃料价格十分的昂贵,上亿人民币一公斤,因此在聚变堆中都是通过中子和锂反应来进行循环利用的。

为了避免T呆在材料中不出来,第一壁采用的是金属中对氢亲和力最弱的钨。T进入钨中后难以和材料本身有效结合,只好重新跑出来,继续参与聚变。

虽然钨本身不和T结合,但中子辐照会产生的空洞对T的吸引力却非常强,T一旦跑进孔洞中去就很难出来了。

这就使得T燃料滞留在材料内部,从而破坏上面的T循环,使得T越用越少。

没有T了,自然无法进行聚变。

此外,作为气体氢的同位素,D-T在进入材料孔洞中后会形成气体分子。这些气体分子挤在有限的空间内,会形成十分高的压强,从而挤出氢气泡,使材料进一步开裂,造成严重的破坏。

裂变堆中基本上没有D-T问题,这个问题对于聚变堆材料来说是全新的,目前对于该问题的研究尚处于研究阶段。

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